Detalles MARC
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
01432nam a2200277 a 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
000013862 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20160221095337.0 |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
110330s2006 xxuad grn 001 0 eng d |
| 020 ## - ISBN |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9780072987560 |
| 020 ## - ISBN |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
0072987561 |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
CO-BrUAC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
CO-BrUAC |
| Centro/agencia modificador |
CO-BrUAC |
| 041 0# - CÓDIGO DE LENGUA |
|---|
| Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente |
eng |
| 082 04 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
|---|
| Número de clasificación |
621.38152 |
| Número de documento/Ítem |
N348 |
| Número de edición |
22 ed. |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Neamen, Donald A. |
| 245 13 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
An introduction to semiconductor devices / |
| Mención de responsabilidad, etc. |
Donald A. Neamen. |
| 260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. |
|---|
| Lugar de publicación, distribución, etc. |
Boston : |
| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
McGraw Hill, |
| Fecha de publicación, distribución, etc. |
2006. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
678 p. : |
| Otras características físicas |
il., grafs., diagrs., etc. |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. |
|---|
| Nota de bibliografía, etc. |
Incluye referencias bibliográficas, índice, etc. |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Cap. 1. The crystal structure of solids -- 2. Theory of solids -- 3. The semiconductor in equilibrium -- 4. Carrier transport and excess carrier phenomena -- 5. The pn junction and metal-semiconductor contact -- 6. Fundamentals of the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor -- 7. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor: Additional concepts -- 8. Noneequilibrium excess carriers in semiconductors -- 9. The pn junction and schottky diodes -- 10. The bipolar transistor -- 11. Additional semiconductor devices and device concepts -- 12. Optical devices. |
| 544 1# - NOTA DE LOCALIZACIÓN DE MATERIALES DE ARCHIVO RELACIONADOS |
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| Depositario(custodio) |
Disponible en la Colección General. |
| 650 14 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores |
| 650 14 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Electrónica |
| Subdivisión general |
Materiales |
| 650 14 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Conductividad Eléctrica |
| 650 14 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Cristales |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
|---|
| Tipo de ítem Koha |
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